IGBT

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

技術簡介

IGBT是一種新型電力半導體器件的平台性器件,具有高輸入阻抗,低導通壓降,驅動電路簡單,開關速度快,電流密度大等優點。

中芯集成電路製造(紹興)有限公司是中芯國際的合資公司。IGBT平台從2015年開始建立,着眼于最新一代場截止型(Field Stop)IGBT結構,採用業界最先進及主流的背面加工工藝,包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等。已完成整套深溝槽(Deep Trench)+薄片(Thin Wafer)+場截止(Field-Stop)技術工藝的自主研發,並相應推出600V~1200V等器件工藝,技術參數可達到業界領先水平。

特點

應用產品

可廣泛應用於工業變頻、白色家電、軌道交通、電動汽車、智能電網、風力發電和太陽能等行業。

  • 工業變頻

  • 白色家電

  • 軌道交通

  • 電動汽車

  • 智能電網

  • 電力發電

  • 太陽能

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  • 中芯國際宣傳冊

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