90納米, 0.13/0.11微米, 0.18微米,
0.25微米, 0.35微米

90納米

技術簡介

中芯國際的300毫米晶圓廠已有多個90納米工藝的產品進入大規模的生產,中芯國際擁有豐富的製程開發經驗,可向全球客戶提供成熟穩定的90納米技術服務。中芯90納米製程採用Low-k材質的銅互連技術,生產高性能的元器件。利用先進的12英寸生產線進行90納米工藝的生產能確保成本的優化,為客戶未來技術的提升提供附加的資源。此外,我們的90納米技術可以為客戶量身定做, 達到各種設計要求,包括高速,低耗,混合信號,射頻以及嵌入式和系統集成等方案。

在90納米技術上,中芯向客戶提供生產優化的方案,以期竭盡所能地為客戶產品的性能的提升,良率的改善和可靠性的保證提供幫助。對於90納米相關的單元庫,IP及輸入/輸出接口等可通過我司的合作夥伴獲得。

特點

工藝組件選擇

標準工藝組件選擇

90納米低漏電器件(1.2V)

40納米低漏電器件(1.1V)

核心器件

高閾值電壓

標準閾值電壓

低閾值電壓

輸入輸出器件

1.8V

2.5V

2.5V 過載 3.3V

3.3V

內存

單端靜態內存 (0.999μ㎡)

雙端靜態內存 (1.994μ㎡)

應用產品

中芯國際90納米技術可以滿足多種應用產品如無線電話,數字電視,機頂盒,移動電視,個人多媒體產品,無線網絡接入及個人計算機應用芯片等對低能耗,卓越性能及高集成度的要求。

  • 無線電話

  • 數字電視

  • 機頂盒

  • 移動電視

  • 個人
    多媒體產品

  • 無線網絡

0.13/0.11微米

技術簡介

和0.15微米器件的製程技術相比,我們的0.13微米工藝能使芯片面積縮小25%以上,性能提高約30%。與0.18微米製程技術比較,芯片面積更可縮小超過50%,而其性能也提高超過50%。 

中芯的0.13微米製程採用全銅製程技術,從而在達到高性能設備的同時,實現成本的優化。中芯的0.13微米技術工藝使用8層金屬層寬度僅為80納米的門電路,能夠製作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。我們的高速、低電壓和低漏電製程產品已在廣泛生產中。中芯國際可以提供0.13/0.11微米的單元庫,內存編譯器,輸入輸出接口和模擬IP。

特點

  • 0.13 微米/0.11微米銅工藝平台

  • 0.11微米鋁工藝平台

工藝組件選擇

  • 0.13 微米

    標準工藝組件選擇

    0.13μm低漏電器件 (1.5V)

    0.13μm高性能通用器件(1.2V)

    核心器件

    高閾值電壓

    標準閾值電壓

    低閾值電壓

     

     

    輸入輸出器件

    2.5V

    3.3V

     

    內存

    單端靜態內存 (2.43μ㎡)

    單端靜態內存(2.14μ㎡)

    單端靜態內存(2.03μ㎡)

     

  • 0.11微米

    標準工藝組件選擇

    0.13μm低漏電器件 (1.5V)

    0.13μm高性能通用器件(1.2V)

    核心器件

    高閾值電壓

    標準閾值電壓

    低閾值電壓

     

     

    輸入輸出器件

    2.5V

    3.3V

    5V

     

    內存

    單端靜態內存 (1.737μ㎡)

    單端靜態內存(2.03μ㎡)

     

應用產品

中芯國際在0.13/0.11微米技術節點上可提供低成本的閃存控制器、媒體播放器和其他各種應用產品。

  • 閃存控制器

  • 媒體播放器

0.15微米

技術簡介

通過優化功耗和成本,中芯國際子公司LFoundry專門研發了適合汽車電子等級和BCD應用的0.15微米工藝。LFoundry同時也給客戶提供靈活的模塊化的EEPROM,OTP,混合信號和RF CMOS解決方案。

該工藝使用單層多晶,6層金屬,提出1.8V,3.3V和5V的多電壓支持及每平方毫米管130,000的等效門電路密度。中芯國際0.15微米工藝技術包括邏輯、混合信號/RF,高壓,BCD,EEPROM和OTP,SRAM模塊,並提供廣泛的單元庫和IP的支持。

特點

應用產品

中芯國際在 0.15 微米技術節點上可提供低成本的移動/消費應用和汽車和工業應用產品。

  • 移動/消費應用

  • 汽車

  • 工業

0.18微米

技術簡介

中芯國際的0.18微米為消費性、通訊和計算機等多種產品應用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳選擇。此外,它也在嵌入式內存、混合信號及CMOS射頻電路等應用方面為客戶提供靈活性的解決方案及模擬。

此工藝採用 1P6M(鋁)製程,特點是每平方毫米的多晶硅門電路集成度高達100,000門以及有1.8V、3.3V和5V三種不同電壓,供客戶選擇。

我們的 0.18 微米工藝技術包括邏輯、混合信號/射頻、高壓、BCD、電可擦除只讀存儲器以及OTP等。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。

特點

應用產品

中芯國際在 0.18 微米技術節點上可提供低成本、經驗證的智能卡、消費電子產品以及其它廣泛的應用類產品。

  • 消費電子產品

  • 智能卡

0.25微米

技術簡介

中芯國際的0.25微米技術能實現芯片的高性能和低功率,適用於高端圖形處理器、微處理器、通訊及計算機數據處理芯片。我們同時提供0.25微米邏輯電路和3.3V和5V應用的混合信號/CMOS射頻電路。

特點

應用產品

中芯國際提供成本優化及通過驗證的0.35微米工藝解決方案,可應用於智能卡、消費性產品以及其它多個領域。

  • 射頻

  • 無線設備

0.35微米

技術簡介

我們的0.35微米製程技術包括邏輯電路,混合信號/CMOS射頻電路、高壓電路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。

應用產品

中芯國際提供成本優化及通過驗證的0.35微米工藝解決方案,可應用於智能卡、消費性產品以及其它多個領域。

  • 智能卡

  • 消費電子產品

成熟邏輯技術