40納米

40納米

技術簡介

中芯國際是中國大陸第一家提供40納米技術的晶圓廠。40納米標準邏輯製程提供低漏電(LL)器件平台,核心組件電壓1.1V,涵蓋三種不同閾值電壓,以及輸入/輸出組件 2.5V電壓(超載 3.3V,低載 1.8V)以滿足不同的設計要求。40納米邏輯製程結合了最先進的浸入式光刻技術,應力技術,超淺結技術以及低介電常數介質。

特點

工藝組件選擇

標準工藝組件選擇

40納米低漏電器件(1.1V)

核心器件

高閾值電壓

標準閾值電壓

低閾值電壓

輸入輸出器件

2.5V

2.5V 超載 3.3V

2.5V 低載 1.8V

內存

單端高密度靜態存儲器(0.242μ㎡)

單端高性能靜態存儲器(0.303μ㎡)

雙端高密度靜態存儲器(0.477μ㎡)

雙端高性能靜態存儲器(0.600μ㎡)

應用產品

中芯國際40納米標準邏輯製程實現了高性能和低功耗的完美融合,適用於場景廣泛,如:手機基帶及應用處理器,平板電腦多媒體應用處理器,數字電視,機頂盒,遊戲及其他無線互聯應用,正在研發的可工作在0.9v電壓下的40納米超低功耗產品更是為IoT應用場景量身打造。

  • 手机基带
    及應用處理器

  • 平板電腦多媒體
    應用處理器

  • 數字電視

  • 機頂盒

  • 遊戲及其他
    無線互聯應用

資料下載

  • 中芯國際宣傳冊

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