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华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片 - 基于中芯国际 55 纳米低功耗嵌入式闪存平台

2014年08月04日

基于中芯国际 55 纳米低功耗嵌入式闪存平台  


上海2014年8月4日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联交所股票代码:981)与北京中电华大电子设计有限责任公司(“华大电子”)共同宣布,华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片,该芯片采用中芯国际55纳米低功耗(LL)嵌入式闪存(eFlash)平台,具有尺寸小、功耗低、性能高的特点,目前已实现量产供货,其优良性能得到客户的广泛认可。

中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台,可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性,所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台;采用逻辑电压更低的1.2V核心器件,可在最大程度上降低芯片功耗,提升产品性能;后段采用铜制程,由于铜的电迁移性可造成电阻性的改良,使现有设计能够采用较高的电流密度,造就更佳的性能与可靠性;芯片面积有大幅缩减,更小的尺寸使大型闪存应用成为可能;随着闪存单元的持续缩减,芯片面积将进一步优化,实现成本效益。目前,该技术平台已通过产品可靠性测试,能够满足标准智能卡的应用需求。基于此平台,华大电子成功地将中国第一款基于55纳米先进工艺的智能卡芯片推向市场。

“华大电子始终致力于对新技术和新应用的探索,包括基于55纳米工艺的模拟电路设计技术和系统设计技术,以及12英寸晶圆测试和减划技术等,并将研究成果应用于产品开发,快速实现新产品的上市。”华大电子总经理董浩然表示,“此次与中芯国际在55纳米智能卡芯片方面的成功合作,进一步巩固了华大电子在国内该领域的领导地位,同时让我们看到中芯国际在推动先进工艺发展方面所作的努力,其稳定和完整的工艺平台给我们留下了深刻的印象,相信通过我们共同的努力可以为客户提供低成本、低功耗、高可靠性和耐久性的产品。”

“中芯国际一直专注于为客户提供差异化产品和高品质的制造服务,并凭借先进的工艺技术提供高度整合的平台及高效能的解决方案,以更好地满足客户需求。” 中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示,“华大电子是中国智能卡芯片技术的推动者,我们很高兴能够成为其合作伙伴并帮助其推出领先的智能卡芯片产品。当前中国智能卡市场发展迅速,中芯国际将继续深化与华大电子的合作,共同开拓市场,以先进的工艺平台和完善的服务帮助客户赢得更多的市场份额。”

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关于华大电子

北京中电华大电子设计有限责任公司(以下简称华大电子,2002年6月成立)是一家集成电路设计企业,其前身为原电子工业部的北京集成电路设计中心(1986年成立)。2009年经中国电子信息产业集团(CEC)资产重组,华大电子成为央企所属国有控股公司(中国电子集团控股有限公司(00085.HKSE)的全资子公司。

华大电子是专业从事集成电路设计开发销售以及提供解决方案的企业,主要面向智能卡、物联网和卫星导航应用,产品广泛应用于第二代居民身份证、社会保障、加油、移动通信、公用事业、交通、物品防伪、资产管理和位置信息服务等领域。

积多年设计、应用开发经验,华大电子已经成为国内智能卡芯片技术最全面、应用领域最广泛的公司之一,在多个应用领域占有较高的市场份额。公司参与多个国家、行业标准的制定,是行业的先行者和领导者,连续多年名列中国十大集成电路设计企业。

关于中芯国际

中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所股份代号:981),是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海,在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm超大规模晶圆厂;在北京建有一座300mm超大规模晶圆厂,一座控股的300mm先进制程晶圆厂正在开发中;在天津建有一座200mm晶圆厂;在深圳正开发一个200mm晶圆厂项目。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区设立营销办事处、提供客户服务,同时在香港设立了代表处。详细信息请参考中芯国际网站 www.smics.com

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(根据 1995 私人有价证券诉讼改革法案)

本文件可能载有(除历史资料外)依据美国一九九五年私人有价证券诉讼改革法案「安全港」条文所界定的「前瞻性陈述」。该等前瞻性陈述乃基于中芯国际对未来事件的现行假设、期望及预测。中芯国际使用「相信」、「预期」、「计划」、「估计」、「预计」、「预测」及类似表述 为该等前瞻性陈述之标识,但并非所有前瞻性陈述均包含上述字眼。该等前瞻性陈述乃反映中芯国际高级管理层根据最佳判断作出的估计,存在重大已知及未知的风险、不确定性以及其它可能导致中芯国际实际业绩、财务状况或经营结果与前瞻性陈述所载资料有重大差异的因素,包括(但不限于)与半导体行业周期及市况有关风险、激烈竞争、中芯国际客户能否及时接受晶圆产品、能否及时引进新技术、中芯国际量产新产品的能力、半导体代工服务供求情况、行业产能过剩、设备、零件及原材料短缺、制造产能供给、终端市场的金融情况是否稳定和高科技巿场常见的知识产权诉讼。

除本文件所载的资料外,阁下亦应考虑本公司向证券交易委员会呈报的其它存盘所载的资料,包括本公司于二零一四年四月十四日随表格20-F向证券交易委员会呈报的年报,尤其是「风险因素」一节,以及本公司不时向证券交易委员会或香港联交所呈报的其它文件(包括表格6-K)。其它未知或未能预测的因素亦 可能会对本公司的未来业绩、表现或成就造成重大不利影响。鉴于该等风险、不确定性、假设及因素,本档所讨论的前瞻性事件可能不会发生。阁下务请小心,不应不当依赖该等前瞻性陈述,有关前瞻性陈述仅就该日期所述者发表,倘并无注明日期,则就本文件刊发日期发表。

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