中芯新闻

新思科技与中芯国际合作推出用于中芯65纳米LL工艺技术的、获得USB标志认证的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY

2010年05月14日


 
上海  [2010-05-14]

通过芯片验证的DesignWare PHY IP降低了风险,易于集成到系统芯片中

[美国加利福尼亚州山景城和中国上海]——2010年5月14日——全球半导体设计制造软件和知识产权领先企业新思科技有限公司(纳斯达克交易代码:SNPS)和全球领先的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司(中芯国际,纽约证券交易所交易代码:SMI,香港联交所交易代码:0981.HK)今天宣布开始提供用于中芯国际65纳米(nanometer)低漏电(Low-Leakage)工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare? USB 2.0 nanoPHY知识产权(IP)。作为一家提供包括控制器、PHY和验证IP等USB2.0接口完整IP解决方案的领先供应商,新思科技继续致力于通过提供高品质IP助力设计人员降低集成风险,这些IP具备了验证过的互操作性,并与标准规范设计兼容。

DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP专为各种高市场容量移动和消费电子应用而设计的,这些应用的关键要求包括要实现面积最小、低动态和泄漏功耗等特性。此外,DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP内建了调整电路,可支持快速的、芯片加工后的调整,以应对意外的芯片/电路板寄生或工艺变化,而无需用户对现有设计进行修改。这一特性使得设计人员能够提高良品率,并最大限度地降低昂贵的芯片改版成本。

“新思科技经过硅验证的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP与中芯国际的低漏电65nm工艺技术相互融合,使得我们双方的客户能够容易地将先进功能集成到可帮助他们满足低功耗要求、实现关键上市时间目标和快速投入量产的工艺中,”中芯国际高级副总裁兼首席业务官季克非表示,“近来,客户充分利用中芯国际65纳米LL工艺和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在硅晶片领域大获成功,这让我们信心倍增。我们将加强与新思科技的战略和协同关系,利用我们业内领先的集成、功率效率和性价比,为我们的客户提供明显领先的优势。我们期待着与新思科技一如既往地开展持续合作,并向更先进的工艺制程迈进。”
“随着新思科技面向SMIC 65 nm LL 工艺技术的高品质DesignWare USB2.0 nanoPHY的上市,我们将继续向设计人员提供他们满足当今制造工艺要求所需的知识产权,”新思科技解决方案集团营销副总裁John Koeter表示,“我们通过与中芯国际合作,在其65 nm LL工艺中对我们的USB 2.0 nanoPHY IP进行硅验证。这种做法为我们的客户提供了成熟的、经过认证的IP解决方案,使他们能够在集成DesignWare IP的过程中降低所面临的风险,并加快产品的上市时间。”
关于DesignWare IP
新思科技有限公司是用于系统级芯片(SoC)设计的高质量、经生产验证的接口和模拟IP解决方案的领先提供商。Synopsys广泛的产品系列提供了完整的连接IP解决方案,包括控制器、PHY和验证IP,适用于众多已广泛应用的协议,如USB、PCI Express、DDR、SATAHDMI、MIPI和以太网等,3G DigRF, CSI-2 and D-PHY。模块IP系列产品包括模数转换器、数模转换器、音频编解码器、视频模拟前端、触摸屏控制器和其它许多产品。此外,Synopsys还提供用于构建虚拟平台的SystemC事务级模型,可用于软件的快速开发以及芯片生产前的开发工作。在强有力的IP开发方法支持下,以及凭借在质量和全面技术支持方面的大力投入,新思科技有限公司让设计人员能够加快产品上市周期和减少集成风险。如需有关DesignWare IP的更多信息,敬请访问:http://www.synopsys.com/designware。同时也可在Twitter上了解我们的最新消息:http://twitter.com/designware_ip。

关于新思科技有限公司
新思科技有限公司(Synopsys, Nasdaq:SNPS)是全球电子设计自动化(EDA)行业的领导者,为全球电子市场提供用于半导体设计和制造的软件、知识产权(IP)和服务。Synopsys的全面解决方案将其在实施、验证、IP、制造和现场可编程门阵列(FPGA)等方面的产品组合集于一体,帮助设计师和制造商解决了当前面对的各种关键挑战,如功率消耗、良率管理、软件到芯片(software-to-silicon)验证以及实现时间。这些技术领先的解决方案帮助Synopsys的客户建立了一个竞争优势,既可以将最好的产品快速地带入市场,同时降低成本和进度风险。Synopsys的总部位于加利福尼亚州的Mountain View,并且在北美、欧洲、日本、亚洲和印度拥有超过65家办事处。如需获得更多信息,请登陆http://www.synopsys.com。Synopsys和DesignWare均为Synopsys公司的注册商标。本新闻稿所涉及的所有其它商标或注册商标的知识产权均归属其相应所有者。

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关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:981),是世界领先的集成电路芯片代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到45纳米芯片代工与技术服务。中芯国际总部位于上海,在上海建有一座300mm 芯片厂和三座200mm 芯片厂。在北京建有两座300mm 芯片厂,在天津建有一座200mm 芯片厂,在深圳有一座200mm 芯片厂在兴建中,在成都拥有一座封装测试厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本提供客户服务和设立营销办事处,同时在香港设立了代表处。此外,中芯代成都成芯半导体制造有限公司经营管理一座200mm 芯片厂,也代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm 芯片厂。详细信息请参考中芯国际网站 http://www.smics.com

安全港声明
(根据1995私人有价证券诉讼改革法案)
本次新闻发布可能载有(除历史资料外)依据1995美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的「前瞻性陈述」。该等前瞻性陈述乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使用「相信」、「预期」、「打算」、「估计」、「期望」、「预测」或类似的用语来标识前瞻性陈述,尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性声明涉及可能导致中芯实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性声明所表明的意见产生重大差异的已知和未知的重大风险、不确定因素和其他因素,其中包括当前全球金融危机的相关风险、未决诉讼的颁令或判决,和终端市场的财政稳定。

投资者应考虑中芯呈交予美国证券交易委员会(「证交会」)的文件资料 ,包括其于二零零九年六月二十二日以20-F表格形式呈交给证交会的年报,特别是在「风险因素」和 「管理层对财务状况和经营业绩的讨论与分析」部分,并中芯不时向证交会(包括以6-K表格形式),或联交所呈交的其他文件。其它未知或不可预测的因素也可能对中芯的未来结果,业绩或成就产生重大不利影响。鉴于这些风险,不确定性,假设及因素,本次新闻发布中讨论的前瞻性事件可能不会发生。请阁下审慎不要过分依赖这些前瞻性声明,因其只于声明当日有效,如果没有标明声明的日期,就截至本新闻发布之日。除法律有所规定以外,中芯概不负责因新资料、未来事件或其他原因引起的任何情况,亦不拟,更新任何前瞻性陈述。

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