中芯新闻

中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至65纳米低漏电工艺

2010年05月24日


 
上海  [2010-05-24]

SiWare Memory, SiWare Logic, SiPro MIPI and Intelli DDR夥伴關係將中芯65納米低漏電工藝至臻完善

[美国加利福尼亚州弗里蒙特和中国上海] –2010年5月24日–备受半导体产业信赖的IP供应商Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL)和中国最先进的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司(中芯国际,纽约证券交易所交易代码:SMI,香港联交所交易代码:0981.HK)今天宣布其长期合作伙伴关系扩展到包括65纳米(nanometer)的低漏电(low-leakage)工艺技术。根据协议条款,系统级芯片(SoC)设计人员将能够使用Virage Logic开发的,基于中芯国际65纳米低漏电工艺的SiWare?存储器编译器,SiWare?逻辑库, SiPro? MIPI硅知识产权(IP)和Intelli? DDR IP。这一联合协议是Virage Logic与业界领先的代工厂业务扩展战略的一个组成部分,也是中芯国际承诺为其客户提供一个完整的IP解决方案的兑现。

“作为中国首屈一指的代工厂,我们与Virage Logic公司拓展合作伙伴关系将使中芯国际能够提供更多业界领先的65纳米低漏电工艺的半导体IP,这不仅能满足来自中国本地的系统级芯片开发人员的需要,亦将助益我们开发全球半导体市场。”中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非表示。“目前我们已经有一些客户正积极利用中芯国际的65纳米低漏电工艺及Virage Logic公司相关IP进行芯片项目的开发。我们期待持续发展与Virage Logic的合作关系,不断满足日益增长的市场需求。”

“我们很高兴能够在65纳米低漏电工艺方面扩大与中芯国际的伙伴关系。Virage Logic开发的业界领先的IP产品将能够让更多的客户选择中芯国际作为他们65纳米制造的主要供应商,” Virage Logic公司市场和销售执行副总裁Brani Buric表示。“作为代工厂赞助的IP产品计划之一,我们的SiWare?存储器编译器和SiWare?逻辑库将免费提供给终端用户使用,中芯国际对此充分肯定其战略意义。除此之外我们的SiPro? MIPI和Intelli? DDR标准高速接口IP也为用户提供了一个经验证的解决方案,使得各地的设计师都能在他们的65纳米低漏电设计中选择世界一流的IP。”

关于 Virage Logic的SiPro? MIPI IP
SiPro MIPI DSI(显示串行接口),CSI(摄像头串行接口)控制器以及物理层D-PHY,在保证良率的同时,提供性能、面积、功耗的优化方案。SiPro为移动设备摄像头和显示接口提供无缝连接方案,并已通过系统级验证。该IP方案被大量应用于移动SoC,已在65低电压工艺经过产品验证,并可用于40低电压工艺。

关于 Virage Logic的 Intelli? DDR接口IP解决方案
Intelli DDR存储器接口产品拥有为DDR1,DDR2,DDR3提供最好性能,最低触发时间的智能存储器控制器;最低功耗,最大带宽的移动SDR,移动DDR,低功耗DDR(LPDDR)以及LPDDR2存储控制器;并为DRAM提供高速、全数字DDR SDRAM PHY+DLL方案以及先进的高可配置型DDR IO。与模拟方案相比,全数字的Intelli PHY+DLL方案最多可节省25%的功耗,并缩小多达20%的面积,为高性能、低功耗应用提供优化的硬核方案。

关于Virage Logic的SiWare?存储器 和SiWare? 逻辑产品
于2007年10月首次推出的65nm Siware产品线,可满足先进工艺物理IP日益复杂的设计要求,目前在40nm工艺已有超过40家客户。该产品线能针对先进工艺,提供优化的功耗方案,最大程度降低静态功耗和动态功耗。Siware高密度存储编译器能产生最小面积的存储器。Siware高速存储编译器能帮助设计者解决最具挑战的关键路径要求。工艺极限变量的编译时间选择,省电模式,读写余量的扩展,超低工作电压,创新的at-speed测试,能帮助SOC设计者配置出最优化方案。

所有SiWare存储器皆完全支持Virage Logic公司的STAR存储系统。STAR存储系统为该公司的旗舰嵌入式存储测试和修复系统,可并用于Virage逻辑存储以及内部开发或者其他商业用途。为便利修复,该STAR存储系统使用代工厂开发的存储eFUSE以用于修复署名纪录的存储。STAR存储系统采用专为先进工艺量身定制的测试算法,以提高产品可靠性及加速产品的高良率周期。

SiWare逻辑产品线针对高性能,高密度需求,特别量身定制高性能,高密度标准单元库。该单元库包含超过1,100个基础单元,提供多通道配置以及不同的极限变量,能快速达到时序终止,同时不影响面积和功耗。

Virage Logic 的逻辑库通过对更严格的设计规则、更高的可制造性以及更好的电迁移可靠性标准的不断追求而达到良率的最大化。通过统一均衡的版图设计,使用非最小化尺寸器件使得局部的变化达到最小,并且其特性可被代工厂相应的抽取环境所精确反映。比如,能够反映出阱邻近效应,相邻电路扩散间距等DFM效应。

供应情況
Virage Logic的SiWare?存储器和SiWare? 逻辑产品将在2010年第三季度上市。在代工厂IP赞助方案的支持下,Virage Logic 将直接授权给代工厂的终端客户使用。

Virage Logic的SiPro? MIPI 和Intelli? DDR 接口IP将在2010年第三季度初上市。

关于Virage Logic
Virage Logic是一家为复杂电路设计提供半导体硅知识产权(IP)的领先供应商。该公司拥有高度差异化的产品组合,包括处理器解决方案、接口IP解决方案、嵌入式SRAM和NVM、嵌入式测试和良率优化解决方案、逻辑库及存储器开发软件。Virage Logic是备受半导体产业信赖的IP合作伙伴,有超过400家晶圆代工厂、IDM和无厂IC客户采用其方案以达到更高性能、更低功耗、更高密度、更优化良率,缩短客户的产品上市时间以及量产时间。欲得知更多信息,请浏览http://www.viragelogic.com。

Virage Logic媒体联络:
Sabina Burns
Virage Logic Corporation
510-743-8115
sabina.burns@viragelogic.com

关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:981),是世界领先的集成电路芯片代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到45纳米芯片代工与技术服务。中芯国际总部位于上海,在上海建有一座300mm 芯片厂和三座200mm 芯片厂。在北京建有两座300mm 芯片厂,在天津建有一座200mm 芯片厂,在深圳有一座200mm 芯片厂在兴建中,在成都拥有一座封装测试厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本提供客户服务和设立营销办事处,同时在香港设立了代表处。此外,中芯代成都成芯半导体制造有限公司经营管理一座200mm 芯片厂,也代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm 芯片厂。详细信息请参考中芯国际网站 http://www.smics.com

安全港声明(根据1995私人有价证券诉讼改革法案)
本次新闻发布可能载有(除历史资料外)依据1995美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的「前瞻性陈述」。该等前瞻性陈述乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使用「相信」、「预期」、「打算」、「估计」、「期望」、「预测」或类似的用语来标识前瞻性陈述,尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性声明涉及可能导致中芯实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性声明所表明的意见产生重大差异的已知和未知的重大风险、不确定因素和其他因素,其中包括当前全球金融危机的相关风险、未决诉讼的颁令或判决,和终端市场的财政稳定。

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