中芯新闻

MoSys公司的1T-SRAM-R技术成功通过中芯国际0.13微米制程验证

2004年07月28日


上海  [2004-07-28]

(SUNNYVALE, 加利福尼亚和上海,中国―2004年7月28日)全球领先的高密度嵌入式存储器存供货商MoSys公司(纳斯达克:MOSY)与全球领先的芯片代工厂之一,中芯国际集成电路制造有限公司(纽约证券交易所:SMI,香港联合证券交易所:981),今日共同宣布MoSys公司的1T-SRAM-R技术?z含Transparent Error Correction ?{成功通过中芯国际0.13微米制程验证。此次验证成功,使中芯国际能为其客户提供另一种优质的高密度存储器,从而扩展了两公司之间现有的合作。

“MoSys的0.13微米高密度1T-SRAM-R存储器通过中芯国际的硅验证,这可以给我们的客户提供通过中芯国际0.18及0.13微米逻辑制程验证的特别存储器技术。”中芯国际市场销售部副总宋建迈说。“通过TEL 1T-SRAM-R 不仅可以使我们的客户节省额外的产品开支,还能显著地减少设计风险并且使用MoSys的独特内存可以帮助客户提高复杂的SoC设计能力。”

“通过内置的透明纠错,在增加产量,减少出错率(SER)和提高可靠性时,我们的1T-SRAM-R 嵌入式存储器技术还展示了其独特的可伸缩性和可移植性,”MoSys的总裁兼首席执行长Fu-Chieh Hsu说。“MoSys的1T-SRAM-R 存储器以高的良率通过了中芯国际硅验证的逻辑制程, 为他们的客户提供高密度的0.13微米存储器技术,还能通过消除激光修补?^程使得生产流程简化。”

中芯国际概述:
中芯国际为全球领先的半导体制造商之一,提供制程技术从0.35微米到0.13微米的集成电路生产服务。中芯国际于2000年4月在开曼群岛注册成立。目前,公司在上海的张江高科技园区经营三座8?季г仓圃斐В?并在中国天津经营一座8?季г仓圃斐А4送猓?公司现正在中国北京兴建12?季г仓圃斐А?2003年5月,半导体业界的权威杂志《半导体国际》(Semiconductor International) 评选出两家“2003年最佳半导体厂”,中芯国际一厂就是获得这项荣誉的半导体厂之一。中芯国际不仅提供集成电路制造服务,还为客户提供其它的全方位服务,包括设计服务,光掩膜制造,和晶圆测试服务等。如需更多信息,请浏览网站: www.smics.com。

MoSys公司概述:
成立于1991年,MoSys公司(纳斯达克:MOSY)为半导体公司开发,转让,销售先进的存储器技术。 MoSys获得专利的1T-SRAM 技术是高密度,低功耗,高速度与低成本的结合,这是其他现有的存储器技术所无可比拟的。与传统的4 或6 晶体管静态存储器相比,1T-SRAM 存储器里使用单一晶体管位单元使该技术在同样的标准逻辑生产过程中具备更高的密度。1T-SRAM 技术也提供与传统静态存储器相关的,适于随机地存取周期的刷新界面和高性能。另外, 与传统的静态存储器技术相比,该技术能降低到四分之一的功耗, 在SOC系统中,它能使嵌入式大内存设计更为理想。MoSys已经运出超过5000万片带1T-SRAM嵌入式内存的芯片, 在广泛的硅制程和应用方面展示了卓越的技术生产能力。MoSys总部位于1020 Stewart Drive,Sunnyvale,California 94085。 如需更多信息,请浏览MoSys网站http://www.mosys.com。

MoSys Contact:
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Sunnyvale, CA
+1 (408) 731-1830
kboyle@mosys.com

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SMIC Public Relations
Shanghai, China
+86 21 5080 2000 x 10356
Sarina_Huang@smics.com