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中芯国际成功开发出0.18微米高电压单芯片LCD驱动芯片制程技术

2004年08月27日


上海  [2004-08-27]

(中国,上海,2004年8月27日) 中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称中芯国际,纽约证券交易所:SMI,香港联合证券交易所:981)今日宣布已经成功开发0.18微米30伏到40伏高电压CMOS组件制程技术。此技术将使中芯国际有能力为快速成长的移动通讯市场,提供一流的0.18微米CMOS高电压单芯片LCD驱动芯片代工服务。

“此项最新制程技术将提供给我们的客户一套完整具有竞争力组件性能,包括1.8伏、5伏及30伏到40伏 CMOS晶体管加MIM(金属-绝缘体-金属电容)及OTP(单次写入),适用于小面积、低消耗功率单芯片高电压LCD驱动芯片。我们相信此项成果将使中芯国际在这一关键性的制程技术领域中进入先驱地位。”中芯国际内存技术发展中心资深副总裁李若加先生说,该中心负责开发各种动态随机内存,闪存,嵌入式闪存,先进的可擦写内存智能卡,液晶显示器高压驱动芯片,LCOS显示器芯片,以及CMOS图像传感器等。

该技术可广泛应用于包括手机在内的移动通讯市场,协助全球及国内客户快速进入新一代的LCD驱动芯片应用市场。

中芯国际概述:
中芯国际为全球领先的半导体制造商之一,提供制程技术从0.35微米到0.13微米的集成电路生产服务。中芯国际于2000年4月在开曼群岛注册成立。目前,公司在上海的张江高科技园区经营三座8?季г仓圃斐В?并在中国天津经营一座8?季г仓圃斐А4送猓?公司现正在中国北京兴建12?季г仓圃斐А?2003年5月,半导体业界的权威杂志《半导体国际》(Semiconductor International) 评选出两家“2003年最佳半导体厂”,中芯国际一厂就是获得这项荣誉的半导体厂之一。中芯国际不仅提供集成电路制造服务,还为客户提供其它的全方位服务,包括设计服务,光掩膜制造,和晶圆测试服务等。如需更多信息,请浏览网站: www.smics.com。

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