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MOSYS在中芯国际0.18微米标准逻辑工艺中进行1T-SRAM存储器的硅验证

2003年05月20日


上海  [2003-05-20]

(中国上海讯,2003年5月20日)业界领先的高密度SoC 植入存储器解决方案提供商MoSys (纳斯达克股票标识:MOSY)和中国第一家先进的半导体代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)共同宣布,MoSys在中芯国际的0.18微米标准逻辑工艺中,已完成1T-SRAM存储器技术的硅验证。该制造里程碑的奠定,使中芯国际客户可以更有信心地选择MoSys的1T-SRAM技术,以满足他们对系统级芯片(SoC)设计的存储要求。
“中芯国际对MoSys的1T-SRAM存储器的硅验证,可以使我们的客户采用植入存储技术,而且该技术已经成功地通过了制造测试。这将减小设计风险,提高复杂的SoC设计能力”,中芯国际市场及行销中心副总裁宋建迈说,“我们与MoSys的合作,为客户提供从设计到生产的直接路径,通过采用MoSys独特的高密度存储结构来制造系统级的器件。
“MoSys的1T-SRAM植入存储技术使中芯国际的客户能在同一芯片上达到高存储密度和逻辑的系统级的整合,”MoSys的副总裁兼知识产权部的总经理Mark-Eric Jones说,“我们期待与中芯国际,及其客户与合作伙伴共事。”

中芯国际概述:
中芯国际是中国第一家量产8英寸,0.25微米,0.18微米及更先进工艺的芯片代工厂。中芯国际于2000年4月注册于开曼群岛,总部位于上海,为客户提供全方位的服务,包括集成电路设计服务,光掩膜生产,芯片制造和测试服务。更多信息,请浏览公司网站:www.smics.com。

MoSys和1T-SRAM概述
MoSys(纳斯达克股票标识:MOSY)成立于1991年,为半导体厂商提供新型存储技术的开发、授权及出售。MoSys的1T-SRAM专利技术汇集了其他存储技术无法比拟的优点,包括高密度、低功耗、高速度和低成本。即使使用在同一标准逻辑工艺中, 一个1T-SRAM存储器晶体管的密度远高于四个 至六个传统的SRAM晶体管的密度。
1T-SRAM技术可提供类似于传统SRAM所熟悉之无须刷新的界面和任意地址访问周期的高性能。此外,与传统的SRAM相比,该技术还降低4倍的操作功耗,为系统级芯片设计植入更大容量的存储器创造了理想的条件。得到MoSys授权的多家公司已经在50,000,000多片芯片上采用了1T-SRAM植入技术,而在硅工艺和产品上的广泛应用,证明了其优良的工艺性。MoSys总部位于1020 Stewart Drive, Sunnyvale, California 94085。更多信息,请浏览网站:http://www.mosys.com.