中芯新闻

英飞凌与中芯国际签订芯片代工协议

2002年12月09日


上海  [2002-12-09]

(慕尼黑/上海 2002年12月9日)德国慕尼黑的英飞凌技术有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(SMIC),今天正式宣布签订生产标准存储器芯片(DRAM)的合作协议。英飞凌将其0.14微米的DRAM沟道技术转移给中芯国际,并在今后考虑转移0.11微米技术。对于这些特殊的DRAM技术与产品,中芯国际将专为英飞凌代工生产。

中芯国际将在上海已建成的8英寸晶圆厂房内,装配用于0.14微米生产技术的设备。预计产品将于2003年年中通过技术认证。中芯国际将开始生产256-Mbit DDR 存储器芯片,并随DRAM市场的发展,逐步扩大存储器容量。随着中芯国际厂房设备的进展,预计该项合作将使英飞凌2005年的月投片提高20,000片。

此次合作将进一步巩固英飞凌的全球第三大DRAM制造商地位,同时也使其成为中国半导体市场的主要供应商。根据市场分析公司Gartner Dataquest预测,中国的半导体市场规模将从2002年约160亿美元增长至2006年310亿美元左右。

“此次与中国领先半导体制造商的合作,我们遵循了‘Agenda 5-to-1’策略,即,在最具有潜力的中国市场上,加强我们的地区表现,进而成为亚太地区市场的领头羊,”英飞凌技术公司存储器产品部的执行总裁 Harald Eggers博士说,“同时,与中芯国际的合作,使我们无须增加生产厂的投资就可增长DRAM的业务。”

“我们很高兴英飞凌选择中芯国际作为他们在中国的代工伙伴,”中芯国际的总裁兼执行长张汝京博士说,“随着半导体行业不断扩大委外生产的趋势,中芯国际专业的高品质代工服务,将为双方提供一个双赢之道。”

从中芯国际获得的产能将有助于提升英飞凌位于世界各地的DRAM生产基地的总产能。这些生产基地包括位于德国德累司顿(Dresden)和美国维吉尼亚州列治文(Richmond)的生产厂,台湾由华邦(Winbond)运营的生产厂,以及刚与南亚(Nanya)合资的生产厂等。英飞凌藉由存储器生产厂的全球一体化,确保了其产品的统一性和高质量,也促进了各生产厂技术和经验的不断交流。

英飞凌简介
德国慕尼黑的英飞凌技术有限公司,为汽车和工业产业中的有线通讯设备、安全移动方案和存储器产品提供半导体芯片和系统解决方案。作为全球性企业,英飞凌在美国的圣荷西、亚太地区的新加坡,及日本的东京均设有营运中心。2002财政年度(截至今年九月),公司销售额达52.1亿欧元,全球员工约30,400人。公司在法兰克福股票交易所(DAX指数)和纽约股票交易所(股票标识:IFX)上市。更多信息,请浏览公司网站www.infineon.com.

中芯国际简介
中芯国际集成电路制造有限公司是第一家在中国专业生产八??0.25微米及以下工艺的芯片代工厂。中芯国际为客户提供全方位的服务,主要业务包括集成电路设计服务,光掩膜制造服务,芯片制造和测试服务。
更多信息,请浏览公司网站:www.smics.com

联系人:
中芯国际
黄贵美女士, 公关部
电话: +86 21 5080 2000 x 10356
传真: +86 21 5080 2868
电子邮件: Sarina_Huang@smics.com

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