晶圓代工解決方案概覽
工藝技術
• 先進邏輯技術
• 28nm MPW&産品
• 28nm IP&服務
• 40nm
• 65nm/55nm
• 成熟邏輯技術
• SPOCULL
• 90nm, 0.13/0.11µm, 0.18µm,   0.25µm, 0.35µm
• eNVM
• 混合信號/射頻工藝技術
• 模擬/電源
• 面板驅動芯片(DDIC)
• CMOS圖像傳感器 (CIS)
• CMOS 微電子機械系統
• 非易失性存儲器
• IoT Solutions
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雙極—互補金屬氧化物半導體—雙重擴散金屬氧化物半導體工藝

中芯國際提供業界領先的0.35微米至65納米BCD 的電源管理平台。提供可定製CMOS的密度以及雙極NPN和PNP器件以及高電壓LDMOS的組合。中芯國際領先的BCD工藝平台已經成功用於手機的電源管理領域,同時中芯國際正在持續開發電池充電、LED背光產品,包括DC-DC轉換、線性調節器、音頻功率放大器、調諧和控製電路等工藝平台。

組件選擇:
  • 65納米1.2V/2.5V/5V
  • 0.18微米Epi 1.8V/5V/10V/12V/20V/35V/40V
  • 0.35微米Bulk 3.3V/5V/15V/18V/24V/30V/40V
特點:
  • 核心器件與邏輯製程兼容,I/O與LDMOS共享Gate OX。
  • 中芯國際在BCD生產上已有超過7年的經驗,出貨量累積達百萬片。平均良率在95%以上。
下一代單片集成工藝研發:
  • 0.15微米 Bulk 1.8V/5V/12-60V
  • 0.18微米 HV-BCD 5V/40V CMOS LDMOS~60V
絕緣柵雙極型晶體管工藝

中芯國際2014開始IGBT平台的開發,未來為客戶提供600V和1200V IGBT 器件,可以提供RC-IGBT。

特點:
  • 工藝前道與邏輯製成兼容,低VCEsat,低開關損耗。



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