40纳米

40纳米

技术简介

中芯国际是中国大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂。40纳米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台,核心组件电压1.1V,涵盖三种不同阈值电压,以及输入/输出组件 2.5V电压(超载 3.3V,低载 1.8V)以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术,应力技术,超浅结技术以及低介电常数介质。

特点

工艺组件选择

标准工艺组件选择

40纳米低漏电器件(1.1V)

核心器件

高阈值电压

标准阈值电压

低阈值电压

输入输出器件

2.5V

2.5V 超载 3.3V

2.5V 低载 1.8V

内存

单端高密度静态存储器(0.242μ㎡)

单端高性能静态存储器(0.303μ㎡)

双端高密度静态存储器(0.477μ㎡)

双端高性能静态存储器(0.600μ㎡)

应用产品

中芯国际40纳米标准逻辑制程实现了高性能和低功耗的完美融合,适用于场景广泛,如:手机基带及应用处理器,平板电脑多媒体应用处理器,数字电视,机顶盒,游戏及其他无线互联应用,正在研发的可工作在0.9v电压下的40纳米超低功耗产品更是为IoT应用场景量身打造。

  • 手机基带
    及应用处理器

  • 平板电脑多媒体
    应用处理器

  • 数字电视

  • 机顶盒

  • 游戏及其他
    无线互联应用

资料下载

  • 中芯国际宣传册

    下载