90纳米, 0.13/0.11微米, 0.18微米,
0.25微米, 0.35微米

90纳米

技术简介

中芯国际的300毫米晶圆厂已有多个90纳米工艺的产品进入大规模的生产,中芯国际拥有丰富的制程开发经验,可向全球客户提供成熟稳定的90纳米技术服务。中芯90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术,生产高性能的元器件。利用先进的12英寸生产线进行90纳米工艺的生产能确保成本的优化,为客户未来技术的提升提供附加的资源。此外,我们的90纳米技术可以为客户量身定做, 达到各种设计要求,包括高速,低耗,混合信号,射频以及嵌入式和系统集成等方案。

在90纳米技术上,中芯向客户提供生产优化的方案,以期竭尽所能地为客户产品的性能的提升,良率的改善和可靠性的保证提供帮助。对于90纳米相关的单元库,IP及输入/输出接口等可通过我司的合作伙伴获得。

特点

工艺组件选择

标准工艺组件选择

90纳米低漏电器件(1.2V)

90纳米低漏电器件(1.0V)

核心器件

高阈值电压

标准阈值电压

低阈值电压

输入输出器件

1.8V

2.5V

2.5V 过载 3.3V

3.3V

内存

单端静态内存 (0.999μ㎡)

双端静态内存 (1.994μ㎡)

 

应用产品

中芯国际90纳米技术可以满足多种应用产品如无线电话,数字电视,机顶盒,移动电视,个人多媒体产品,无线网络接入及个人计算机应用芯片等对低能耗,卓越性能及高集成度的要求。

  • 无线电话

  • 数字电视

  • 机顶盒

  • 移动电视

  • 个人
    多媒体产品

  • 无线网络

0.13/0.11微米

技术简介

和0.15微米器件的制程技术相比,我们的0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上,性能提高约30%。与0.18微米制程技术比较,芯片面积更可缩小超过50%,而其性能也提高超过50%。 

中芯的0.13微米制程采用全铜制程技术,从而在达到高性能设备的同时,实现成本的优化。中芯的0.13微米技术工艺使用8层金属层宽度仅为80纳米的门电路,能够制作核心电压为1.2V以及输入/输出电压为2.5V或3.3V的组件。我们的高速、低电压和低漏电制程产品已在广泛生产中。中芯国际可以提供0.13/0.11微米的单元库,内存编译器,输入输出接口和模拟IP。

特点

  • 0.13 微米/0.11微米铜工艺平台

  • 0.11微米铝工艺平台

工艺组件选择

  • 0.13 微米

    标准工艺组件选择

    0.13微米低漏电器件 (1.5V)

    0.13微米高性能通用器件(1.2V)

    核心器件

    高阈值电压

    标准阈值电压

    低阈值电压

     

     

    输入输出器件

    2.5V

    3.3V

     

    内存

    (缩小之前)

    单端静态内存 (2.43μ㎡)

    单端静态内存(2.14μ㎡)

    单端静态内存(2.03μ㎡)

     

     

  • 0.11微米

    标准工艺组件选择

    0.11微米高性能通电器件 (1.2V)

    0.11微米LF(1.2V)

    核心器件

    高阈值电压

    标准阈值电压

    低阈值电压

     

     

    输入输出器件

    2.5V

    3.3V

    5V

     

     

    内存

    (缩小之前)

    单端静态内存 (1.737μ㎡)

    单端静态内存(2.03μ㎡)

     

     

应用产品

中芯国际在0.13/0.11微米技术节点上可提供低成本的闪存控制器、媒体播放器和其他各种应用产品。

  • 闪存控制器

  • 媒体播放器

0.15微米

技术简介

通过优化功耗和成本,中芯国际子公司LFoundry专门研发了适合汽车电子等级和BCD应用的0.15微米工艺。LFoundry同时也给客户提供灵活的模块化的EEPROM,OTP,混合信号和RF CMOS解决方案。

该工艺使用单层多晶,6层金属,提出1.8V,3.3V和5V的多电压支持及每平方毫米管130,000的等效门电路密度。中芯国际0.15微米工艺技术包括逻辑、混合信号/RF,高压,BCD,EEPROM和OTP,SRAM模块,并提供广泛的单元库和IP的支持。

特点

应用产品

中芯国际在 0.15 微米技术节点上可提供低成本的移动/消费应用和汽车和工业应用产品。

  • 移动/消费应用

  • 汽车

  • 工业

0.18微米

技术简介

中芯国际的0.18微米为消费性、通讯和计算机等多种产品应用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳选择。此外,它也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供灵活性的解决方案及模拟。

此工艺采用 1P6M(铝)制程,特点是每平方毫米的多晶硅门电路集成度高达100,000门以及有1.8V、3.3V和5V三种不同电压,供客户选择。

我们的 0.18 微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、BCD、带电可擦除只读存储器以及OTP等。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。

特点

应用产品

中芯国际在 0.18 微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其它广泛的应用类产品。

  • 消费电子产品

  • 智能卡

0.25微米

技术简介

中芯国际的0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率,适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。我们同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V应用的混合信号/CMOS射频电路。

特点

应用产品

中芯国际提供成本优化及通过验证的0.35微米工艺解决方案,可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。

  • 射频

  • 无线设备

0.35微米

技术简介

我们的0.35微米制程技术包括逻辑电路,混合信号/CMOS射频电路、高压电路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。

应用产品

中芯国际提供成本优化及通过验证的0.35微米工艺解决方案,可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。

  • 智能卡

  • 消费电子产品

成熟逻辑技术