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世界第五家:中芯國際今年開始研發7nm工藝

2017-03-16 科技訊

國內把半導體技術作為重點來抓,首先要突破的是3D NAND閃存,這方面主要是長江存儲科技在做,而在芯片製造工藝方面,國內比Intel、三星、TSMC落後的更多,這方面追趕還得看SMIC中芯國際。日前中芯國際CEO邱慈雲表態今年晚些時候會投資研發7nm工藝,不過他並沒有給出國產7nm工藝問世時間,考慮到14nm工藝目標定在2018-2020年左右,估計國產的7nm工藝至少也得在2020年之後了。

中芯國際是國內最先進的半導體代工廠,2016年營收29億美元,同比增長30%,不過與全球晶圓代工一哥TSMC台積電差距還是相當大的,後者去年營收約為300億美元,半導體工藝更是領先——TSMC早就量產16nm FinFET工藝了,今年還會量產10nm工藝,SIMC目前最先進的工藝還是28nm,主力工藝還是40nm、55nm等。

2015年比利時國王訪華時,中比雙方簽署了一系列合作協議,其中一條就是中芯國際、華為、高通與比利時微電子中心IMEC合作研發14nm FinFET工藝,預計會在2020年之前達成《國家集成電路產業發展推進綱要》提出的16/14納米工藝實現規模量產的目標。

中芯國際從28nm直接進入14nm,跳過了20nm節點,未來也很有可能跳過10nm節點,直接進入7nm節點。該公司CEO邱慈雲博士日前對外表態稱今年晚些時候會投入R&D研發資金開發7nm工藝,他還提到近年來中芯國際加大了研發投入力度,R&D投資佔據公司12-13%的營收, 2016年資本支出也創紀錄地達到了27億美元。

邱博士並沒有提到國內7nm工藝的具體情況,目前看來只是開始投入研發資金,這一點上要比Intel、三星GF、TSMC早幾年就研發7nm工藝要晚得多,不過他們依然是全球第五家表態研發7nm工藝的半導體公司,隨著製程工藝越來越先進,全球有能力研發新工藝的晶圓廠越來越少。

 
     



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