晶圆代工解决方案概览
工艺技术
• 先进逻辑技术
• 28nm MPW&产品
• 28nm IP&服务
• 40nm
• 65nm/55nm
• 成熟逻辑技术
• SPOCULL
• 90nm, 0.13/0.11µm, 0.18µm,   0.25µm, 0.35µm
• eNVM
• 混合信号/射频工艺技术
• 模拟/电源
• 面板驱动芯片(DDIC)
• CMOS图像传感器 (CIS)
• CMOS 微电子机械系统
• 非易失性存储器
• IoT Solutions
外包服务
芯片代工厂介绍
光罩服务
中芯在线服务
多项目晶圆服务
实验室服务
24小时 技术支持
双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺

中芯国际提供业界领先的0.35微米至65纳米BCD 的电源管理平台。提供可定制CMOS的密度以及双极NPN和PNP器件以及高电压LDMOS的组合。中芯国际领先的BCD工艺平台已经成功用于手机的电源管理领域,同时中芯国际正在持续开发电池充电、LED背光产品,包括DC-DC转换、线性调节器、音频功率放大器、调谐和控制电路等工艺平台。

组件选择:
  • 65纳米1.2V/2.5V/5V
  • 0.18微米Epi 1.8V/5V/10V/12V/20V/35V/40V
  • 0.35微米Bulk 3.3V/5V/15V/18V/24V/30V/40V
特点:
  • 核心器件与逻辑制程兼容,I/O与LDMOS共享Gate OX。
  • 中芯国际在BCD生产上已有超过7年的经验,出货量累积达百万片。平均良率在95%以上。
下一代单片集成工艺研发:
  • 0.15微米 Bulk 1.8V/5V/12-60V
  • 0.18微米 HV-BCD 5V/40V CMOS LDMOS~60V
绝缘栅双极型晶体管工艺

中芯国际2014开始IGBT平台的开发,未来为客户提供600V和1200V IGBT 器件,可以提供RC-IGBT。

特点:
  • 工艺前道与逻辑制成兼容,低VCEsat,低开关损耗。



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